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帶3路浮子混氣RTP管式爐RTP-1000-LV3F是專為半導體基片、太陽能電池及其它樣品（尺寸可達 3″ ）的退火而設計，配有3路流量計和機械泵。本機采用 9KW的紅外燈進行加熱，Z快升溫速度可達 100℃/s，配有RS485 接口，可以通過控制軟件在計算機上控制運行并顯示溫度曲線。

1200℃單管滑動快速加熱冷卻爐OTF-1200X-80SL底部安裝一對滑軌，可手動進行爐體移動，Z高工作溫度達1200°C，加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環(huán)境下可以達到10°C/s。為獲得Z快加熱，可預先加熱爐子到設定的溫度，然后移動爐子到樣品位置；為獲得Z快冷卻，可在樣品加熱后移動爐子至另一端，本機是低成本進行快速熱處理的理想設備。

1500℃快速升溫管式爐GSL-1500X-RTP50是一款高溫管式爐，工作溫度能夠達到1500℃。本機底部設有一對滑軌，爐管通過滑軌可進行滑動平移，能夠?qū)崿F(xiàn)快速升溫和降溫的效果。為了實現(xiàn)Z快速度的加熱，可在理想的溫度下進行爐管的預加；為了更快速的冷卻，可移出爐管強迫進行空氣冷卻。因此，本機可廣泛用于冶金、機械、輕工、商檢、高等院校及科研部門，其性能可達到國外同類產(chǎn)品的標準。

1100℃雙管三溫區(qū)管式爐（石墨烯生長）GSL-1100X-III-D11-8外爐管直徑達到11″，內(nèi)管直徑8.5″，在加熱管一端裝有一對高真空不銹鋼法蘭，法蘭上配有機械壓力表和閥門，三個溫區(qū)都采用30段可編程數(shù)字控溫器，并配有K型熱電偶進行測溫，專門針對于在金屬箔上生長薄膜物質(zhì)。

1200℃雙管三溫區(qū)管式爐（石墨烯生長）OTF-1200X-III-D5-4Z高工作溫度可以達到1200℃，專門針對于用CVD方法在金屬箔上生長薄膜物質(zhì)，如石墨烯、太陽能電池的電極材料和其他電池電極材料等。

小型高溫高壓管式爐OTF-1200X-HP-12爐管采用鎳基合金鋼制作而成，Z高溫度可達1100℃，同時可向爐管中通入氧氣、氮氣、水蒸氣及惰性氣體等。